Характеристики мощных комплементарных полевых транзисторов

Характеристики мощных комплементарных полевых транзисторов
Справочные данные MOSFET транзисторов, используемых в выходных каскадах УНЧ.


Многие любители высококачественного звуковоспроизведения уже давно оценили достоинство использования комплементарных полевых транзисторов в выходных каскадах УНЧ. Достоинство это не скрывается под большими семейными трусами, а наоборот так и норовит прорости наружу в виде красивого ("мягкого/лампового") звучания, малого уровня искажений и устойчивости к перегрузкам.
А по таким параметрам, как коэффициент демпфирования, передача низких и высоких частот, ширина рабочей полосы пропускания - они превосходят даже классические образцы ламповых усилителей.

Итак. Высокая температурная стабильность, малая мощность управления, слабая подверженность к пробою, самоограничение тока стока, высокое быстродействие в режиме коммутации, малый уровень шума - это основные преимущества полевых MOSFET транзисторов перед вакуумными приборами и биполярными транзисторами.

Теперь о главном - какие выбрать полевики!

Начнём с исходной точки - мощных и дорогих комплементарных полевых транзисторов, специально разработанных для аудиоаппаратуры. Такие транзисторы отличаются слабой зависимостью крутизны (forward transfer admitance) от тока стока и сглаженными выходными ВАХ.
Параметры некоторых специализированных КМОП транзисторов, приведены в табл. 1.

 Транзистор    Канал   UСИmax, В   UЗИmax, В   IСmax, А   RСИ, Ом   Pmax, Вт   СЗИ, пФ 
 10N20
 20N20 (Exicon)
 N-кан  200  ±14  8
 16
 -  125
 250
 500
 950
 10P20
 20P20 (Exicon)
 P-кан  200  ±14  8
 16
 -  125
 250
 700
 1900
 2SK133
 2SK134
 2SK135 (Hitachi)
 N-кан  120
 140
 160
 ±14  7  -  100  600
 2SJ48
 2SJ49
 2SJ50 (Hitachi)
 P-кан  120
 140
 160
 ±14  7  -  100  900
 2SK1056
 2SK1057
 2SK1058 (Hitachi)
 N-кан  120
 140
 160
 ±15  7  -  100  600
 2SJ160
 2SJ161
 2SJ162 (Hitachi)
 P-кан  120
 140
 160
 ±15  7  -  100  900
 2SK175 (Hitachi)  N-кан  180  ±15  8  1,7  125   -
 2SJ55 (Hitachi)  P-кан  180  ±15  8  1,0  125   -
 2SK1529
 2SK1530 (Toshiba) 
 N-кан  180
 200
 ±20  10
 12
 -  120
 150
 700
 900
 2SJ200
 2SJ201 (Toshiba) 
 P-кан  180
 200
 ±20  10
 12
 -  120
 150
 1300
 1500
 BUZ900P
 BUZ901P 
 N-кан  160
 180
 ±14  8  -  125  500
 BUZ905P
 BUZ906P 
 P-кан  160
 180
 ±14  8  -  125  730


Ненамного худшими параметрами будут обладать усилители, построенные на массовых, а потому недорогих, мощных MOSFET-ах, изначально предназначенных для коммутационных (Fast Switching) миссий. Причём по некоторым характеристикам, таким как: крутизна характеристики, сопротивление сток-исток в открытом состоянии, подобные транзисторы превосходят своих специализированных аудио коллег.

Количество такого Fast Switching комплементарного MOSFET-добра никем немерено, поэтому ограничусь параметрами всего лишь нескольких КМОП экземпляров, наиболее популярных в радиолюбительском УНЧ-строении.

 Транзистор    Канал   UСИ max, В   UЗИ max, В   IС max, А   RСИ, Ом   Pmax, Вт   СЗИ, пФ 
 IRFZ34  N-кан  55  ±20  29  0,04  68  700
 IRF9Z34N  P-кан  55  ±20  19  0,1  68  620
 IRF130
 IRF131
 IRF132
 IRF133
 N-кан  100
 60
 100
 60
 ±20  14
 14
 12
 12
 0,18
 0,18
 0,25
 0,25
 75  600
 IRF9130
 IRF9131
 IRF9132
 IRF9133
 P-кан  100
 60
 100
 60
 ±20  12
 12
 10
 10
 0,3
 0,3
 0,4
 0,4
 75  700
 IRF530
 IRF531
 IRF532
 IRF533
 N-кан  100
 60
 100
 60
 ±20  14
 14
 12
 12
 0,18
 0,18
 0,25
 0,25
 75  600
 IRF9530
 IRF9531
 IRF9532
 IRF9533
 P-кан  100
 60
 100
 60
 ±20  12
 12
 10
 10
 0,3
 0,3
 0,4
 0,4
 75  700
 IRF540
 IRF541
 IRF542
 IRF543
 N-кан  100
 80
 100
 80
 ±20  28
 28
 25
 25
 0,077
 0,077
 0,1
 0,1
 125  1450
 IRF9540
 IRF9541
 IRF9542
 IRF9543
 P-кан  100
 80
 100
 80
 ±20  19
 19
 15
 15
 0,2
 0,2
 0,3
 0,3
 125  1100
 IRF630
 IRF631
 IRF632
 IRF633
 N-кан  200
 150
 200
 150
 ±20  9
 9
 8
 8
 0,4
 0,4
 0,5
 0,5
 75  600
 IRF9630
 IRF9631
 IRF9632
 IRF9633
 P-кан  200
 150
 200
 150
 ±20  6,5
 6,5
 5,5
 5,5
 0,8
 0,8
 1,2
 1,2
 75  560
 IRF640
 IRF641
 IRF642
 IRF643
 N-кан  200
 150
 200
 150
 ±20  18
 18
 16
 16
 0,18
 0,18
 0,22
 0,22
 125  1600
 IRF9640
 IRF9641
 IRF9642
 IRF9643
 P-кан  200
 150
 200
 150
 ±20  11
 11
 8
 8
 0,5
 0,5
 0,7
 0,7
 125  1100
 IRFP140  N-кан  100  ±20  31  0,077  180  1275
 IRFP9140  P-кан  100  ±20  21  0,2  180  1300


А для желающих ознакомиться с примерами схем УНЧ с выходными каскадами, построенными на мощных комплементарных транзисторах, приведу несколько ссылок:

Схема усилителя низкой частоты на мощных полевых транзисторах, реализованная по чисто ламповой схемотехнике Ссылка на схему .

Схемы УНЧ на TDA7293 мощностью 200 Вт и выходными каскадами на полевых транзисторах Ссылка на схему .

Схемы УНЧ на TDA7293 мощностью 800 Вт и выходными каскадами на полевых транзисторах Ссылка на схему .



 

Главная страница | Наши разработки | Полезные схемы | Это нужно знать | Вопросы-ответы | Весёлый перекур
© 2017 Vpayaem.ru   All Rights Reserved