Характеристики мощных полевых транзисторов
Справочные данные комплементарных MOSFET транзисторов, используемых в выходных каскадах УНЧ
Многие любители высококачественного звуковоспроизведения уже давно оценили достоинство использования комплементарных полевых
транзисторов в выходных каскадах УНЧ. Достоинство это не скрывается под большими семейными трусами, а наоборот так и норовит
прорости наружу в виде красивого ("мягкого/лампового") звучания, малого уровня искажений и устойчивости к перегрузкам.
А по таким параметрам, как коэффициент демпфирования, передача низких и высоких частот, ширина рабочей полосы пропускания
- они превосходят даже классические образцы ламповых усилителей.
Итак. Высокая температурная стабильность, малая мощность управления, слабая подверженность к пробою, самоограничение тока стока,
высокое быстродействие в режиме коммутации, малый уровень шума - это основные преимущества полевых MOSFET транзисторов перед
вакуумными приборами и биполярными транзисторами.
Теперь о главном - какие выбрать полевики!
Начнём с исходной точки - мощных и дорогих комплементарных полевых транзисторов, специально разработанных для аудиоаппаратуры.
Такие транзисторы отличаются слабой зависимостью крутизны (forward transfer admitance) от тока стока и сглаженными выходными ВАХ.
Параметры некоторых из таких специализированных звуковых КМОП транзисторов, приведены в табл. 1.
| Транзистор |
Канал |
UСИmax
(В) |
UЗИmax
(В) |
IСmax
(А) |
RСИ
(Ом) |
Pmax
(Вт) |
СЗИ
(пФ) |
10N20
20N20 (Exicon) |
N-кан |
200 |
±14 |
8
16 |
- |
125
250 |
500
950 |
10P20
20P20 (Exicon) |
P-кан |
200 |
±14 |
8
16 |
- |
125
250 |
700
1900 |
2SK133
2SK134
2SK135 (Hitachi) |
N-кан |
120
140
160 |
±14 |
7 |
- |
100 |
600 |
2SJ48
2SJ49
2SJ50 (Hitachi) |
P-кан |
120
140
160 |
±14 |
7 |
- |
100 |
900 |
2SK1056
2SK1057
2SK1058 (Hitachi) |
N-кан |
120
140
160 |
±15 |
7 |
- |
100 |
600 |
2SJ160
2SJ161
2SJ162 (Hitachi) |
P-кан |
120
140
160 |
±15 |
7 |
- |
100 |
900 |
| 2SK175 (Hitachi) |
N-кан |
180 |
±15 |
8 |
1,7 |
125 |
- |
| 2SJ55 (Hitachi) |
P-кан |
180 |
±15 |
8 |
1,0 |
125 |
- |
2SK1529
2SK1530 (Toshiba) |
N-кан |
180
200 |
±20 |
10
12 |
- |
120
150 |
700
900 |
2SJ200
2SJ201 (Toshiba) |
P-кан |
180
200 |
±20 |
10
12 |
- |
120
150 |
1300
1500 |
BUZ900P
BUZ901P |
N-кан |
160
180 |
±14 |
8 |
- |
125 |
500 |
BUZ905P
BUZ906P |
P-кан |
160
180 |
±14 |
8 |
- |
125 |
730 |
Ненамного худшими параметрами будут обладать усилители, построенные на массовых, а потому недорогих, мощных MOSFET-ах,
изначально предназначенных для коммутационных (Fast Switching) миссий.
Причём по некоторым характеристикам, таким как: крутизна характеристики, сопротивление сток-исток в открытом состоянии,
подобные транзисторы превосходят своих специализированных аудио коллег.
Количество такого Fast Switching комплементарного MOSFET-добра никем немерено, поэтому ограничусь параметрами всего лишь нескольких
КМОП экземпляров, наиболее популярных в радиолюбительском УНЧ-строении.
| Транзистор |
Канал |
UСИmax
(В) |
UЗИmax
(В) |
IСmax
(А) |
RСИ
(Ом) |
Pmax
(Вт) |
СЗИ
(пФ) |
| IRFZ34 |
N-кан |
55 |
±20 |
29 |
0,04 |
68 |
700 |
| IRF9Z34N |
P-кан |
55 |
±20 |
19 |
0,1 |
68 |
620 |
IRF130
IRF131
IRF132
IRF133 |
N-кан |
100
60
100
60 |
±20 |
14
14
12
12 |
0,18
0,18
0,25
0,25 |
75 |
600 |
IRF9130
IRF9131
IRF9132
IRF9133 |
P-кан |
100
60
100
60 |
±20 |
12
12
10
10 |
0,3
0,3
0,4
0,4 |
75 |
700 |
IRF530
IRF531
IRF532
IRF533 |
N-кан |
100
60
100
60 |
±20 |
14
14
12
12 |
0,18
0,18
0,25
0,25 |
75 |
600 |
IRF9530
IRF9531
IRF9532
IRF9533 |
P-кан |
100
60
100
60 |
±20 |
12
12
10
10 |
0,3
0,3
0,4
0,4 |
75 |
700 |
IRF540
IRF541
IRF542
IRF543 |
N-кан |
100
80
100
80 |
±20 |
28
28
25
25 |
0,077
0,077
0,1
0,1 |
125 |
1450 |
IRF9540
IRF9541
IRF9542
IRF9543 |
P-кан |
100
80
100
80 |
±20 |
19
19
15
15 |
0,2
0,2
0,3
0,3 |
125 |
1100 |
IRF630
IRF631
IRF632
IRF633 |
N-кан |
200
150
200
150 |
±20 |
9
9
8
8 |
0,4
0,4
0,5
0,5 |
75 |
600 |
IRF9630
IRF9631
IRF9632
IRF9633 |
P-кан |
200
150
200
150 |
±20 |
6,5
6,5
5,5
5,5 |
0,8
0,8
1,2
1,2 |
75 |
560 |
IRF640
IRF641
IRF642
IRF643 |
N-кан |
200
150
200
150 |
±20 |
18
18
16
16 |
0,18
0,18
0,22
0,22 |
125 |
1600 |
IRF9640
IRF9641
IRF9642
IRF9643 |
P-кан |
200
150
200
150 |
±20 |
11
11
8
8 |
0,5
0,5
0,7
0,7 |
125 |
1100 |
| IRFP140 |
N-кан |
100 |
±20 |
31 |
0,077 |
180 |
1275 |
| IRFP9140 |
P-кан |
100 |
±20 |
21 |
0,2 |
180 |
1300 |
А для желающих ознакомиться с примерами схем УНЧ с выходными каскадами, построенными на мощных комплементарных транзисторах,
приведу несколько ссылок:
1. Схема усилителя низкой частоты на мощных полевых транзисторах по чисто ламповой схемотехнике
Ссылка на схему .
2. Схемы УНЧ на TDA7293 мощностью 200 Вт и выходными каскадами на полевых транзисторах
Ссылка на схему .
3. Схемы УНЧ на TDA7293 мощностью 800 Вт и выходными каскадами на полевых транзисторах
Ссылка на схему .
|
