Перечень схем

Общий перечень всех схем находится на  этой странице



Онлайн калькулятор микрополосковых линий

Расчёт основных параметров микрополосковой линии: эффективная диэлектрическая проницаемость, волновое сопротивление, уровень общих потерь, погонная ёмкость и индуктивность, время задержки распространения сигнала

Микрополосковая линия – это миниатюрная линия передачи электромагнитных волн, представляющая собой узкую металлическую полоску (дорожку), отделённую от заземляющей плоскости пластиной из диэлектрического материала.
Понятие "миниатюрная" подразумевает то, что любой из её геометрических размеров намного меньше длины волны, передаваемой через эту линию.

Структура микрополосковой линии Микрополосковая линия создается путем вытрав­ливания дорожки на пе­чатной плате (Рис.1) и применяется, в основном, в СВЧ проектах.
Основными параметрами полосковых линий являют­ся: волновое сопротивле­ние и коэффициент потерь (или затухания) на единицу длины.
Рис.1 Конструкция микрополосковой линии

Приведённый ниже онлайн калькулятор позволяет по геометрическим размерам рассчитать не только волновое сопротивление и уровень общих потерь, но и такие параметры микрополосковой линии, как: время задержки сигнала, а также её ёмкость и индуктивность.

Калькулятор микрополосковых линий (для СВЧ проектов)

  Рабочая частота f (МГц)
  Ширина медной дорожки, W (мм)  
  Толщина медной дорожки, t (мм)
  Толщина диэлектрика подложки h (мм)  
  Диэлектр. проницаемость подложки, εr   
  Тангенс угла потерь диэлектрика, tanδ  
  
  Эффективная диэлектр. проницаемость, εeff  
  Волновое сопротивление линии, Z₀ (Ом)  
  Потери в диэлектрике, αдиэл (дБ/м)  
  Потери в проводнике, αпр (дБ/м)  
  Общие потери в линии, αобщ (дБ/м)  
  Погонная ёмкость линии, Спог (пФ/м)  
  Погонная индуктивность линии, Lпр (нГн/м)  
  Задержка сигнала в линии, tpd (нсек/м)  

Если потери в линии не представляют интереса, то параметр тангенса угла потерь подложки (tanδ) можно оставить без внимания.
По умолчанию в калькулятор введены усреднённые значения εr и tanδ для наиболее распространённых и доступных стеклотекстолитов FR‑4. Однако существуют и более высокочастотные «low-loss» FR-4 с εr ≈ 3.8 и tanδ около 0.01. Поэтому данные параметры следует черпать исключительно из документации производителя плат, так как свести всё многообразие изготавливаемых изделий в одну громоздкую таблицу – сложно и нецелесообразно. Тем не менее, для примера приведём характеристики некоторых материалов, используемых при производстве печатных плат:

  Материал     εr     tanδ  
  FR4   4.2 – 4.8     0.018 – 0.025  
  FR4 +   3.5 – 4.2   0.008 – 0.018
  Rogers RO4350B   3.48   0.0037
  Rogers RT/duroid 5880     2.2   0.0009
  Rogers RT/duroid 6006   6.45   0.0027
  Rogers RT/duroid 6006   10.7   0.0023
  Arlon AD1000   10.2   0.0023

Формулы расчёта микрополосковых линий, используемые в калькуляторе, выглядят следующим образом:

Эффективная диэлектрическая проницаемость (εeff) – это диэлектрическая проницаемость эквивалентной среды, учитывающая частичное распространение электромагнитной волны в подложке и в воздухе:
Эффективная диэлектрическая проницаемость
Формула расчёта волнового сопротивления микрополосковой линии зависит от соотношения ширины медной дорожки (W) и толщины диэлектрической подложки (h):
Формула расчёта волнового сопротивления микрополосковой линии
Суммарные потери в полосковой линии, определяются коэффициентом затухания αобщ, которые складываются из двух составляющих – потерь в проводниках (αпр) и потерь в диэлектрике (αдиэл):
Потери в полосковой линии
Существует множество методик расчета потерь в полосковых линиях, отличающихся сложностью, погрешностью и допустимым диапазоном входных параметров. Для проверки точности расчета калькулятора были использованы данные компании Rogers в виде диаграмм погонного затухания типичной микрополосковой линии (50 Ом) с параметрами (ε = 3.48, tgδ = 0.0037, h = 0.508 мм, RMS = 3 мкм, материал RO4350B).
Потери в микрополосковой линии
Рис.2 Потери в микрополосковой линии: 50 Ом, ε=3.48, tgδ=0.0037, h=0.508 мм

Значения, рассчитанные на калькуляторе (Рис.2), до частоты 10 ГГц совпадают с данными компании Rogers в пределах одного процента. С повышением частоты проявляются отличия в бОльшую сторону и к 20 ГГц расхождения могут достигать 10...12%.

Параметр задержки распространения сигнала (tpd) в микрополосковых линиях определяется наличием в них емкостной (Cпог) и индуктивной (Lпог) составляющих. Для их расчёта используются следующие формулы:
Задержка, ёмкость, индуктивность микрополосковой линии

Параметры, используемые в формулах:

f – рабочая частота в Мегагерцах;
εr – диэлектрическая проницаемость подложки, свойство материала подложки;
tanδ – тангенс угла потерь подложки, свойство материала подложки;
h – толщина подложки в миллиметрах;
W – ширина медной дорожки в миллиметрах;
t – толщина медной дорожки в миллиметрах;
εeff – эффективная диэлектрическая проницаемость;
Z – волновое сопротивление линии в Омах;
ρ – удельное электрическое сопротивление меди (0.017 Ом⋅мм2/м);
с – скорость света в вакууме (299 792 458 м/с);
tpd – погонная задержка сигнала в линии в наносекундах/метр


* Данный калькулятор не претендует на уровень полноценного электромагнитного
  симулятора и выдаёт приблизительные результаты, которые следует рассматривать
  исключительно как прикидочную оценку характеристик микрополосковых линий.


Литература:
1. РАКЕТНО-КОСМИЧЕСКОЕ ПРИБОРОСТРОЕНИЕ И ИНФОРМАЦИОННЫЕ СИСТЕМЫ 2018, том 5, выпуск 3 – В.Р.Анпилогов, И.В.Зимин, Ю.Н.Чекушкин «Диссипативные потери в микрополосковых линиях и микрополосковых антеннах»


 

Главная страница | Наши разработки | Полезные схемы | Это нужно знать | Вопросы-ответы | Весёлый перекур
© 2017 Vpayaem.ru   All Rights Reserved

     
     

Онлайн калькулятор микрополосковых линий

Расчёт основных параметров микрополосковой линии: эффективная диэлектрическая проницаемость, волновое сопротивление, уровень общих потерь, погонная ёмкость и индуктивность, время задержки распространения сигнала

Микрополосковая линия – это миниатюрная линия передачи электромагнитных волн, представляющая собой узкую металлическую полоску (дорожку), отделённую от заземляющей плоскости пластиной из диэлектрического материала.
Понятие "миниатюрная" подразумевает то, что любой из её геометрических размеров намного меньше длины волны, передаваемой через эту линию.

Структура микрополосковой линии Микрополосковая линия создается путем вытрав­ливания дорожки на пе­чатной плате (Рис.1) и применяется, в основном, в СВЧ проектах.
Основными параметрами полосковых линий являют­ся: волновое сопротивле­ние и коэффициент потерь (или затухания) на единицу длины.
Рис.1 Конструкция микрополосковой линии

Приведённый ниже онлайн калькулятор позволяет по геометрическим размерам рассчитать не только волновое сопротивление и уровень общих потерь, но и такие параметры микрополосковой линии, как: время задержки сигнала, а также её ёмкость и индуктивность.

Калькулятор микрополосковых линий (для СВЧ проектов)

  Рабочая частота f (МГц)
  Ширина медной дорожки, W (мм)  
  Толщина медной дорожки, t (мм)
  Толщина диэлектрика подложки h (мм)  
  Диэлектр. проницаемость подложки, εr   
  Тангенс угла потерь диэлектрика, tanδ  
  
  Эффективная диэлектр. проницаемость, εeff  
  Волновое сопротивление линии, Z₀ (Ом)  
  Потери в диэлектрике, αдиэл (дБ/м)  
  Потери в проводнике, αпр (дБ/м)  
  Общие потери в линии, αобщ (дБ/м)  
  Погонная ёмкость линии, Спог (пФ/м)  
  Погонная индуктивность линии, Lпр (нГн/м)  
  Задержка сигнала в линии, tpd (нсек/м)  

Если потери в линии не представляют интереса, то параметр тангенса угла потерь подложки (tanδ) можно оставить без внимания.
По умолчанию в калькулятор введены усреднённые значения εr и tanδ для наиболее распространённых и доступных стеклотекстолитов FR‑4. Однако существуют и более высокочастотные «low-loss» FR-4 с εr ≈ 3.8 и tanδ около 0.01. Поэтому данные параметры следует черпать исключительно из документации производителя плат, так как свести всё многообразие изготавливаемых изделий в одну громоздкую таблицу – сложно и нецелесообразно. Тем не менее, для примера приведём характеристики некоторых материалов, используемых при производстве печатных плат:

  Материал     εr     tanδ  
  FR4   4.2 – 4.8     0.018 – 0.025  
  FR4 +   3.5 – 4.2   0.008 – 0.018
  Rogers RO4350B   3.48   0.0037
  Rogers RT/duroid 5880     2.2   0.0009
  Rogers RT/duroid 6006   6.45   0.0027
  Rogers RT/duroid 6006   10.7   0.0023
  Arlon AD1000   10.2   0.0023

Формулы расчёта микрополосковых линий, используемые в калькуляторе, выглядят следующим образом:

Эффективная диэлектрическая проницаемость (εeff) – это диэлектрическая проницаемость эквивалентной среды, учитывающая частичное распространение электромагнитной волны в подложке и в воздухе:
Эффективная диэлектрическая проницаемость
Формула расчёта волнового сопротивления микрополосковой линии зависит от соотношения ширины медной дорожки (W) и толщины диэлектрической подложки (h):
Формула расчёта волнового сопротивления микрополосковой линии
Суммарные потери в полосковой линии, определяются коэффициентом затухания αобщ, которые складываются из двух составляющих – потерь в проводниках (αпр) и потерь в диэлектрике (αдиэл):
Потери в полосковой линии
Существует множество методик расчета потерь в полосковых линиях, отличающихся сложностью, погрешностью и допустимым диапазоном входных параметров. Для проверки точности расчета калькулятора были использованы данные компании Rogers в виде диаграмм погонного затухания типичной микрополосковой линии (50 Ом) с параметрами (ε = 3.48, tgδ = 0.0037, h = 0.508 мм, RMS = 3 мкм, материал RO4350B).
Потери в микрополосковой линии
Рис.2 Потери в микрополосковой линии: 50 Ом, ε=3.48, tgδ=0.0037, h=0.508 мм

Значения, рассчитанные на калькуляторе (Рис.2), до частоты 10 ГГц совпадают с данными компании Rogers в пределах одного процента. С повышением частоты проявляются отличия в бОльшую сторону и к 20 ГГц расхождения могут достигать 10...12%.

Параметр задержки распространения сигнала (tpd) в микрополосковых линиях определяется наличием в них емкостной (Cпог) и индуктивной (Lпог) составляющих. Для их расчёта используются следующие формулы:
Задержка, ёмкость, индуктивность микрополосковой линии

Параметры, используемые в формулах:

f – рабочая частота в Мегагерцах;
εr – диэлектрическая проницаемость подложки, свойство материала подложки;
tanδ – тангенс угла потерь подложки, свойство материала подложки;
h – толщина подложки в миллиметрах;
W – ширина медной дорожки в миллиметрах;
t – толщина медной дорожки в миллиметрах;
εeff – эффективная диэлектрическая проницаемость;
Z – волновое сопротивление линии в Омах;
ρ – удельное электрическое сопротивление меди (0.017 Ом⋅мм2/м);
с – скорость света в вакууме (299 792 458 м/с);
tpd – погонная задержка сигнала в линии в наносекундах/метр


* Данный калькулятор не претендует на уровень полноценного электромагнитного
  симулятора и выдаёт приблизительные результаты, которые следует рассматривать
  исключительно как прикидочную оценку характеристик микрополосковых линий.


Литература:
1. РАКЕТНО-КОСМИЧЕСКОЕ ПРИБОРОСТРОЕНИЕ И ИНФОРМАЦИОННЫЕ СИСТЕМЫ 2018, том 5, выпуск 3 – В.Р.Анпилогов, И.В.Зимин, Ю.Н.Чекушкин «Диссипативные потери в микрополосковых линиях и микрополосковых антеннах»


  ==================================================================